В.М. Матюшин, Э.И.Ткачев, П.А.Шамин Итерационный алгоритм решения задачи размещения моделей с использованием ЦВМ «Наири» // Тезисы докладов Всесоюзной научнотехнической конференции пользователей ЭВМ «Наири», 1975(тези)
В.М. Матюшин, А.Н.Горбань, В.П.Пинчук Диффузия меди в германии при рекомбинации на его поверхности атомов водорода из низкотем-пературной плазмы // Плазмохимия-79. Тезисы докладов III Всесоюзного симпозиума по плазмохи-мии. Москва, 1979
В.М. Матюшин, А.Н.Горбань, Э.И.Ткачев Моделирование процесса дислокации энергии при внедрении чужеродного атома в полупроводник // В кн.: Теория и прак-тика конструирования и обеспе¬чение качест-ва и надежно¬сти РЭА, Москва-Махачкала, 1980
В.М. Матюшин, А.Н.Горбань Ускорение диффузии меди в германии под действием атомов водорода // В кн.; Диагностика поверхности ионными пучками. Донецк,1980
В.М. Матюшин, А.Н.Горбань Внедрение в герма-ний атомов золота под действием атома-рного водорода // В кн.: Взаимодействие атомарных частиц с твердым телом. 4 11 Минск, 1981
В.М. Матюшин, А.Н.Горбань, С.Е.Смарев Свечение под плен-кой индия в атомар-ном водороде // В кн.: Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. Мин-ск, 1981
В.М. Матюшин, А.Н.Горбань Хемостимулирован-ная диффузия меди в германии. // В кн.: Активированные процессы в микроэлектронике. Таганрог, 1982
В.М. Матюшин, А.Н.Горбань, О.Г. Брик Исследование механизма хемостимулированнойдиффузии меди в приповерхностном слое германии. // В кн.: Диагностика поверх¬ности ионными пучками. Запорожье, 1983
В.М. Матюшин, В.А.Ступак Исследование хемостимулированной гетеродиффузии методом вторичной ионной масспектроскопом. // В кн.: Диагностика поверхности ионными пучками. Запорожье, 1983
В.М. Матюшин, А.Н.Горбань Фотоэмиссия на пленках индия при воздействии атомов водорода тепловых энергий. // В кн.: Вторичная ион-ная и ионно-фотонная эмиссия . Харьков, 1983
В.М. Матюшин, А.Н.Горбань Миграция поверхностных атомов стимулированное каталитической реакцией. // В кн.: Физика поверх-ности твердых тел. Киев, 1983
В.М. Матюшин, А.В.Богатков, Л.П.Корнич, В.К.Манько, Е.Г.Тягушева Влияние обработки кремниевых пластин в атомарном водороде на работу выхода электронов. // В кн.: Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. 4.II. Материалы VII Все-союзной конферен-ции. Минск, 1934
В.М. Матюшин, А.Н.Горбань, В.А.Ступак Низкотемпературная диффузия никеля в германии под воздействием атомов водорода // В кн.: Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. 4.III.
В.М. Матюшин, А.Н.Горбань, В.И.Лишенко Исследование механизма внедрения поверхностных атомов в объем под воздействием атомарного водорода. // В кн.: Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. 4.III.
В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов Контроль состояния поверхности диэлектрических и полупроводниковых подложек методом контактной разности потенциалов. // В кн.: Состояние повышение надежности. V научно-техническая конференция. Воронеж март, 1981
В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов С. Д. Точилин Исследование взаимодействия атомарного водорода на морфологию поверхности германия. // В кн.: Взаимодействие ио¬нов с поверх-ностью. Мате¬риалы X Всесоюзной кон-ференции ВИП. Мос-ква. НИФИ сентябрь 1991
В.М. Матюшин, М.И.Правда, С.Д.Точилин Очистка поверхности полупроводниковых кристаллов под воздействием атомарного водорода. // В кн.: Теория и прак-тика надежности и ка-чества ра-диоэлектронных средств. С8 научных трудов. Киев УИК ВО 1992
В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов Низкотемпературное хемостимулированное легирование германия. // В кн.: Новые конструкционные стали и сплавы и методы их обработки для повышения надеж-ности и долговечности изделий. Тезисы докладов V научно-технической конференции 23-25 сентября 1992, Запорожье 1992, с.112
В.М. Матюшин, А.В.Горбань, Л.П.Корнич Контроль состояния поверхности кремни-евых пластин методом контактной разницы потенциалов. // В кн.: Состояние и пе-р¬спективы развития микро¬электронной техники. Те¬мы докла-дов Всесоюзной кон-ференции. Минск, 1985
В.М. Матюшин, А.Н.Горбань Стимулирование диффузии никеля в германии воздействием атомарного водорода. // В кн.: Взаимодействие атомных частиц с твердым телом 4II. Материалы VIII Всесоюзной конференции. Москва, 1987 с. 141-142
В.М. Матюшин, В.В.Кровина, В.Г.Доброкота Изменение структуры германия под воз-действием атомарного водорода при протекании диффузии меди. // В кн.: Диагностика поверх¬ности ионными пучками. Донецк 1988, с.140-141
В.М. Матюшин, В.И.Лишенко Механизмы ускорения гетеродиффузии под воздействием атомов водорода. // В кн.: Диагностика поверх¬ности ионными пучками. Донецк 1988,с.141-142
В.М. Матюшин, В.И.Лищенко, А.Н.Горбань Миграция атомов ме-ди и никеля в приповерхностном слое германия стимулированная воздействием атомарного водорода. // В кн.: Активирующие про¬цессы технологии микро¬электроники. Таганрог, 1988,6.IХ с.102-107
В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов Внедрение атомов металлов в германии под воздействием атомарного водорода. // В кн.: Прикладные воп-ро¬сы ионной импланта-ции. Тезисы докладов, Сморгонь, ноябрь 1992
В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов, В.И.Лищенко, А.В.Томашевский Обработка кремни-евых структур с р-n переходами в атомарном водороде с целью улучшения их электрофизических параметров и надежности. // В кн.: Состояние и пути повышения надежности магнитофонов. VII нау-чно-техническая отра-слевая конференция. Воронеж март 1993 стр.43- 44
В.М. Матюшин, А.В.Томашевский, В.П.Шаповалов Использование последовательного критерия Вельде при испытаниях на надежность. // В кн.: Состояние и пути повышения надежности магнитофонов. VII нау-чно-техническая отра-слевая конференция. Воронеж март 1993 стр.57-58
В.М. Матюшин, В.М.Манько, В.П.Шаповалов Низкотемпературное легирование германия под воздействием атомарного водорода. // В кн.: Материалы XI кон¬ференции «Взаимо-дейст¬вие ионов с повер-хно¬стью». Москва, МИФИ 7-11 сентября 1993.-Т.З, С.43-45
В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов, В.М.Матюшин, В.И.Мищенко Улучшение параметров кремние¬ых структур с р-n переходами путем их обработки в атомарном водороде. // В кн.: Состояние и пути повышения надежности видеомагнитофонов. VIII Научно-техническая кон-ференция. Воронеж, март 1994 с. 65-66.
В.М. Матюшин, В. П. Шаповалов, А.Р.Кошман, А.И.Рябчук Исследование влияния атомарного водорода на зарядовые состояния тонких пленок. // Труды украинского вакуумного общества. Т.З. 22-24 апреля 1997, Херсон, стр.283-287
В.М. Матюшин, В.П .Шаповалов, А.Р.Кошман Низкотемпературное распыление тонких пленок металлов под воздействием атомарного водорода. // Труды украинского вакуумного общества. Т.З. 22-24 апреля 1997, Херсон, стр.485-488
В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов, А.И.Рябчук Исследование изменения электрической прочности кремниевых р-п переходов при обработке их в атомарном водороде. // В кн. Взаимодействие ио-нов с поверхностью. (Материалы XIII между-на¬родной конференции M.I997 1-5 сентября). Т.2. с.304-307
В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов Воздействие атомов водорода на кристаллы кремния с различной структурой поверхности. // В кн. Взаимодействие ио-нов с поверхностью. (Материалы XIII между-на¬родной конференции M.I997 1-5 сентября). Т.2. с.325-327
В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов, А.М Багінський, В.М.Матюшин, О.В.Томашевський Профорієнтаційна робота по захопленню молоді до навчання на кафедрі МЕНП ЗДТУ в сучасних умовах. // В кн. «Сучасні проблеми підготовки інженерних кадрів.» 1997р. 28-30 жовтня, м .Запоріжжя.
В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов, А.В.Томашевский, А.М.Багинский Влияние введения магистратуры на спрос специалистов по микроэлектронике. // Международная научнотехническая конференция. «Вища технічна освіта проблеми магіст-ратури» 17-19 травня 1995. Тезисы докладов. Киев 1995. С.171-173
В.М. Матюшин, В. П. Шаповалов, А.Р.Кошман Улучшение электрических параметров полупроводниковых кремниевых структур путем их обработки в атомарном водороде. // IX научно-техническая конференция. «Состо-яние и пути повышения надежности видеомагнитофонов» март 1995. Тезисы Воронеж 1995.-С.59-60.
В.М. Матюшин, В.П .Шаповалов, А.В.Томашевский Влияние состава окислителя газовой среды на качество тонкого термического диоксида кремния. // IX научно-техническая конференция. «Состояние и пути повышения надеж¬ности видеомаг-нитофо¬нов» март 1995. Тезисы Воронеж 1995.-С.67-69.
В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов, А.Р.Кошман Распыление поверхности кремния температуры под действием атомарного водорода. // Взаимодействие иона с поверхностью XII ме-ждуна¬родная конферен-ция 1995, T.I стр.78-80
В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов, А.Р.Кошман Изменение обратных токов кремниевых диодов после обработки в атомарном водороде. X научно-техническая отраслевая конференция «Состояние и пути повышения надежности видеомагнитофонов. Март 1996 Воронеж.
В.И.Татаринов, В.М.Матюшин Исследование воздействия атомарного водорода на кристаллические тонкие слои кремния. // Тез. XXIX конференции по физике: Взаимо-действие заряженных ча-стиц с кри¬сталлами. М.; МГУ 31 мая-2 июня 1999, с. 137
В.И.Татаринов, В.М.Матюшин Туннелирование носителей заряда стимулированное воздействием атомарного водорода. // Тез. XXIX конференции по физике: Взаимо-действие заряженных ча-стиц с кри¬сталлами. М.; МГУ 31 мая-2 июня 1999, с. 136
В.М. Матюшин, В.М.Матюшин, И.В.Бондарев, Д.Н. Белоус Стимулирование диффузии меда в полупроводниках под воздействием атомов водорода. // Тез. XXIX конференции по физике: Взаимодействие заряженных частиц с кри¬сталлами. М.; МГУ 31 мая-2 июня 1999, с. 138
В.М. Матюшин, И.В.Бондарев Низкотемпературное стимулирование гетеродиффузии в германии под воздействием атомов водорода. Взаимодействие ионов с поверхностью. Материалы XIV-й Международ-ной конференции. 4.2. 30.8-3.9.1999. С. 165-167
В.И.Татаринов, В.М.Матюшин Влияние атомарного водорода на структуру поликристаллических тонких пленок. // Взаимодействие ионов с по-верхностью. Материалы XIV-й Международной конференции. 4.2. 30.8-3.9.1999. С. 287-289
В.М.Матюшин, В.П .Шаповалов, Р.В.Мартынюк Стимулирование диффузии рекомбинационных примесей в полупроводниках под воздействием атомов водорода // Труды III междунар. конф. "Водородная обработка материалов".-Ч. 1 .-Донецк: ДонГТУ- 2001 -С 256-258.
В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов, Р.В.Мартынюк Введение рекомби-национных примесей в германий под воз-действием атомарного водорода // Труды XV Междунар. конф "Взаимодействие ионов с поверхностью".- Т.2.- М.: МИФИ.- 2001.-С.151-154.
V.P.Shapovalov, V.M.Matyushin, R.V.Martinyuk The atomic hydrogen stimulated impurity introduction in solid states // IV International Conference on Modification of Properties of Surface Layers of Non-Semiconducting Materials Using Particle Beams.-Feodosiya.-2001.- P.57.
В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов, В.М.Матюшин, Р.В.Мартынюк Электронные и атомные процессы на поверхности и в объеме монoатомных кристаллов полупроводников под воздействием атомарного водорода // Тези доповідей IУк-раїнської наук. конф. з фізики напівпровідників.- Одеса,- 2002. - С.321-322.
Р.В.Мартинюк, В.М.Матюшин Исследование меха-низмов хемостимулированной гетеродиффузии под воздействием атомарного водорода // Тезисы докл. XXXIV междунар. конф. "Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами".- М.: МГУ.- 2004.-С.127.
В.М.Матюшин, Е.В.Пугина, Е.К. Пивоваров Стимулирование процессов массопереноса в системе "индий-германий" под воздействием атомарного водорода // Тезисы докл. XXXIV междунар. конф. "Физика взаимодействия заряженных частиц с кри-сталлами".- М.: МГУ.- 2004.-С.128.
Е.Л. Жавжаров В.М. Матюшин Влияние частиц из водородной плазмы на зарядовое состояние поверхности германия // Тезисы докл. XXXIV междунар. конф. "Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами".- М.: МГУ.- 2004.-С.129.
В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов, Р.В.Мартынюк Стимулирование процесса внедрения примесей в твердые тела под воздействием атомарного водорода // Тез. докл. XXXII Ме-ждунар. конф. "Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами".- М.; МГУ.-2002.-С.141.
Жавжаров Е.Л. Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью кристаллов n-Ge /Е.Л.Жавжаров, В.М.Матюшин //Материалы XVI Междунар. конф. „Взаимодействие ионов с поверхностью” [ВИП-2003] (Звенигород, Россия, 25-29 августа 2003 г.).- М.: МАИ.-Т.2.- С. 362-365.
Жавжаров Е.Л. Влияние частиц из водородной плазмы на зарядовое состояние поверхности германия /Е.Л.Жавжаров, В.М.Матюшин //Материалы ХХХIV Междунар. конф. по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 31 мая – 2 июня 2004 г.).- М.: МГУ.- С. 129.
Жавжаров Е.Л. Воздействие атомарного водорода на гетероструктуры Ni-подложка /Е.Л.Жавжаров, В.М.Матюшин //Материалы ХХХV Междунар. конф. по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 31 мая – 2 июня 2005 г.).- М.: МГУ.- С. 159.
Жавжаров Е.Л. Модификация свойств гетероструктуры Cu-Si под воздействием атомарного водорода /Е.Л.Жавжаров, В.М.Матюшин //Материалы XVII Междунар. конф. «Взаимодействие ионов с поверхностью» [ВИП-2005] (Звенигород, Россия, 25-29 августа 2005 г.) .- М.: МАИ.- Т.2.- C. 355-357.
Жавжаров Є.Л. Модифікація металевих плівок під впливом атомарного водню /Є.Л.Жавжаров, В.М.Матюшин //Матеріали Ювілейної Х Міжнар. конф. „Фізика і технологія тонких плівок” у 2 т. (Івано-Франківськ, 16-21 травня 2005 р.).–Івано-Франківськ: Гостинець.- Т.1.-С. 308-309.
Жавжаров Є.Л. Моделювання зміни параметрів кристалів Ge та Si під впливом дії атомарного водню. /Є.Л.Жавжаров, В.М.Матюшин //Материалы Междунар. научно-метод. конф. «Математические методы и информационные технологии в управлении, образовании, науке и производстве» (Мариуполь, 2005 г.).-Мариуполь: ПГТУ.- 2005. - С. 227-228.
Жавжаров Є.Л. Низькотемпературна модифікація тонких плівок міді під дією атомарного водню /Є.Л.Жавжаров, Н.А.Антонченко, В.М.Матюшин //Матеріали Міжнар. конф. студ. і молодих науковців з теоретичної та експериментальної фізики [Еврика -2007] (Львів, 22-24 травня 2007 р.).- с. B26.
Жавжаров Е.Л., Матюшин В.М., Антонченко Н.А. Низкотемпературная модификация тонких пленок никеля под воздействием атомарного водорода. /Є.Л.Жавжаров, В.М.Матюшин, Н.А.Антонченко //Материалы ХХХVIII Междунар. конф. по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 27 мая – 29 мая 2008 г.).- М.: МГУ.-2008.-С. 157.
Критская Т.В. Влияние среды выращивания монокристаллов Si на τннз // Критская Т.В., Матюшин В.М., Жавжаров Е.Л. / V Українську наукову конференцію з фізики напівпровідників (УНКФН-5). “УНКФН-5”, Україна, Ужгород, 18-22 вересня 2011 р. С4.84.
Матюшин В.М., Критська Т.В., Жавжаров Є.Л. Вплив середовища вирощування на рекомбінаційні процеси в монокристалічному Si. // Сучасні проблеми і досягнення в галузі радіотехніки, телекомунікацій та інформаційних технологій: Тези доповідей VI Міжнародної науково-практичної конференції (19–21 вересня 2012 р., м. Запоріжжя) – Запоріжжя: ЗНТУ, 2012. – 334 с. - С.319.
Жавжаров Є.Л., Матюшин В.М. Автоматизована установка контролю поверхні напівпровідників і металів. ІІІ Международная научно-техническая конференція «Функциональные и конструкционные материалы» Тезисы докладов (11-14 ноября 2013 г.) г. Донецк, Украина. С. 84.
Матюшин, В. М. Створення випрямляючої напівпровідникової структури при низькотемпературній дії активного водневого середовища [Текст] / В. М. Матюшин, В. Є. Павлюк // Тиждень науки-2019. Факультет радіоелектроніки та телекомунікацій. Тези доповідей науково-практичної конференції, Запоріжжя, 15–19 квітня 2019 р. [Електронний ресурс] / Редкол. :В. В. Наумик (відпов. ред.) Електрон. дані. – Запоріжжя : ЗНТУ, 2019. – 1 електрон. опт. диск (DVD-ROM); 12 см. – Назва з тит. екрана. – 155 с. – С. 44–46.
Matyushin, V. М. Stimulation of diffusion processes in structure copper film - germany under atomic hydrogen [Текст] / V. М. Matyushin, М. V. Velikanov(РТ-318м) // Тиждень науки-2019. Факультет радіоелектроніки та телекомунікацій. Тези доповідей науково-практичної конференції, Запоріжжя, 15–19 квітня 2019 р. [Електронний ресурс] / Редкол. :В. В. Наумик (відпов. ред.) Електрон. дані. – Запоріжжя : ЗНТУ, 2019. – 1 електрон. опт. диск (DVD-ROM); 12 см. – Назва з тит. екрана. – 155 с. – С. 46–49.
